テキサス州プラノ–(BUSINESS WIRE)–Diodes Incorporated (Diodes) (ナスダック: DIOD) は本日、車載対応シリコンカーバイド (SiC) MOSFET DMWSH120H90SM4Q および DMWSH120H28SM4Q のリリースにより、ワイドバンドギャップ製品のさらなる強化を発表しました。これらの N チャネル MOSFET は、バッテリー充電器、オンボード充電器 (OBC)、高電圧充電器などの電気自動車およびハイブリッド電気自動車 (EV/HEV) の自動車サブシステムにおける効率の向上と電力密度の向上を可能にする SiC ソリューションに対する市場の需要の高まりに対応します。効率の高い DC-DC コンバータ、モーター ドライバー、トラクション インバーター。 DMWSH120H90SM4Q は、+15/-4V のゲート-ソース電圧 (V gs ) で最大 1200V DS まで安全かつ確実に動作し、15V gs での R DS(ON) は 75mΩ (標準値) です。このデバイスは、OBC、車載モータードライバー、EV/HEV の DC-DC コンバーター、およびバッテリー充電システム用に設計されています。 DMWSH120H28SM4Q は最大 1200V DS 、+15/-4V gs で動作し、15V gs で 20 mΩ (標準値) という低い R DS(ON) を備えています。この MOSFET は、他の EV/HEV サブシステムのモーター ドライバー、EV トラクション インバーター、DC-DC コンバーター用に設計されています。
